
Информация о «Транзистор 1Т311Д»
1. Общие сведения
1Т311Д — мощный кремниевый n-p-n транзистор, разработанный для применения в высоковольтных импульсных схемах и специальной аппаратуре (военной, промышленной). Относится к категории лавинных транзисторов, устойчивых к перегрузкам.
2. Основные параметры
Характеристика | Значение |
---|---|
Тип структуры | n-p-n, кремниевый, эпитаксиально-планарный |
Напряжение коллектор-эмиттер | 500 В |
Ток коллектора | 5 А (постоянный), 10 А (импульсный) |
Рассеиваемая мощность | 60 Вт (с теплоотводом) |
Граничная частота | 2 МГц |
Коэффициент усиления | 15–40 |
Время включения/выключения | 0.5 мкс / 1.5 мкс |
Корпус | Металлокерамический (КТ-28) с фланцем |
3. Особенности конструкции
-
Лавинная стойкость — выдерживает кратковременные перенапряжения.
-
Металлокерамический корпус с золотым покрытием контактов (для военных применений).
-
Фланец для крепления на радиатор (тепловое сопротивление: 1.2–1.5°С/Вт).
-
Повышенная радиационная стойкость (использовался в аппаратуре, работающей в жестких условиях).
4. Аналоги
Тип | Производитель | Примечание |
---|---|---|
1Т311Г | СССР | Близкий аналог (400 В) |
КТ940Б | СССР | Улучшенная версия |
2N6547 | США (RCA) | Импортный аналог |
BU508D | Philips | Современная замена |
5. Применение
-
Импульсные источники питания (военная и промышленная аппаратура).
-
Строчная развертка в спецтехнике (радары, осциллографы).
-
Силовые ключи в высоковольтных схемах.
-
Генераторы мощных импульсов (лазерные системы, модуляторы).