Выберите город
+7 (950) 468-75-17 (приемщик) +7 (912) 489-50-40
dra9met59@yandex.ru
ул. Петропавловская, 59
Пн. - Сб.: 12:00 - 20:00
Встреча после согласования

КПС 104 и подобные

КПС 104 и подобные
Содержание золота: 0,0140 г;
Цена на б/у 95.18 руб.
Цена за новые 111 руб.

Информация о «КПС 104 и подобные»

1. Общие сведения

КПС104 — это кремниевый полевой транзистор (MOSFET) с p-каналом, предназначенный для применения в импульсных схемах, ключевых режимах и устройствах автоматики. Относится к категории мощных переключательных приборов.


2. Основные параметры КПС104

Характеристика Значение
Тип структуры p-канальный MOSFET
Макс. напряжение сток-исток   -60 В
Макс. ток стока  -12 А
Сопротивление канала  0.3 Ом
Рассеиваемая мощность  75 Вт
Пороговое напряжение  -2...-4 В
Ёмкость затвор-исток 1000 пФ
Корпус ТО-220 (пластиковый с металлической подложкой)

3. Назначение выводов (ТО-220)

  1. Затвор (G) — управляющий электрод

  2. Сток (D) — силовой вывод

  3. Исток (S) — общий вывод


4. Аналоги КПС104

Отечественные аналоги:
  • КП707В — похожие параметры, но в корпусе ТО-203

  • КП723 — более высокое напряжение (до -100 В)

  • КП746А — улучшенные динамические характеристики

Импортные аналоги:
  • IRF4905 — популярный аналог (International Rectifier)

  • FQP12P10 — Fairchild Semiconductor

  • STP12PF06 — STMicroelectronics

  • RFP12P10 — Harris Semiconductor


5. Применение

  • Импульсные источники питания

  • DC-DC преобразователи

  • Управление электродвигателями

  • Силовые ключевые схемы

  • Инверторы и H-мосты


6. Особенности

  1. Высокая переключательная способность — подходит для частот до 100 кГц

  2. Низкое сопротивление открытого канала — минимизирует потери мощности

  3. Требует защиты от статики — как все MOSFET

  4. Необходим теплоотвод при работе с большими токами

  5. Рекомендуется использование снабберных цепей при коммутации индуктивных нагрузок


7. Типовые схемы включения

  • Ключевой режим: управление через драйвер (например, IR2110 для верхнего ключа)

  • Линейный режим: с ограничением мощности рассеяния

  • Мостовые схемы: в паре с n-канальными MOSFET